Shenzhen Best LED Opto-electronic Co., Ltd tarjoaa erilaisia ​​LED-aaltoja, joiden aallonpituus on 365 nm - 1550 nm. Infrapuna-LED, aallonpituus voi olla: 660 nm 680 nm: n 690 nm: 700 nm 710nm 720nm 730nm 740nm 750nm 760nm 770nm 780nm 800nm 810nm 820nm 830nm 850nm 860nm 870nm 880 nm 890nm 900nm 905nm 910nm 920nm 940nm 950nm 970nm 980nm 1000 nM 1020nm 1050nm 1200nm 1300nm 1500nm 1550 nm. UV-LED: n aallonpituus voi olla 365 nm 370 nm 380 nm 390 nm 400 nm 410 nm 420 nm 430 nm jne. Myös muita aallonpituuksia on saatavana, jotka valmistaa AlGaAs / AlGaAs-materiaalin infrapunasiru. Näillä LED-valoilla on vakaa suorituskyky ja pitkä käyttöikä. 3528 SMD LED 750 ei tarjoa korkean hyötysuhteen infrapunasäteilyä diodia GaAlAsissa GaAs-tekniikalla, joka on valettu kirkkaisiin, valkoisiin kirkkaisiin sävytettyihin muovipakkauksiin. 100% radion antennitehon parannus samalla aallonpituudella. Lähtöjännitteet matalalla virralla ja suurella pulssivirralla vastaavat suunnilleen standarditekniikan matalia arvoja. Siksi nämä lähettimet sopivat ihanteellisesti tavallisten lähettimien korkean suorituskyvyn korvaaviksi. Punaisen täplän infrapuna-LED-aallonpituustoleranssi on ± 10 nm. IR-pari

- Dimension parametrit -

Näitä SMD-LED-koteloita on saatavana myös IR-LEDille, UV-LEDille, siniselle SMD-LEDille, punaiselle SMD-LEDille ja Amber-LEDille.

- Värin säteily -

- Sähköparametrit -

Absoluuttiset maksimiarvot Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	270mW
Pulse Forward Current	IFP	350mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	2000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	2000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Optiset ja sähköiset ominaisuudet ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	2.2		2.7	V	IF=100mA
Pulse Forward Voltage	VF		3.6		V	IFP=350mA
Radiant Intensity	IE	50		70	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	750	755	760	nm	IF=100mA
Total Radiated Power	PO		5.6		mw	IF=100mA
Half Width	Dl		50		nm	IF=100mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=100mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
Rise Time	Tr		25		ns	IF=100mA
Fall Time	Tf		13		ns	IF=100mA
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

- 750nm LED -

- Kultainen johdinliitäntä -

* Pitääkseen jokaisen LEDin pitkän käyttöiän BestLED-tehdas käyttää erittäin puhdasta kultaista johtoa sisäpiirin liitäntään

- Pakkaus -

* Pakkaamme sen tyhjiöpakkauksella teipin jälkeen kelaksi

-Sovellus-

- Liittyvä IR-LED -

- 750 nm: n LED-käyttö -